详解MOSFET特征参数值

一:绝对最大年夜额定值(任何景象下都不准许逾越的最大年夜值,逾越此值可能会致使产品失踪效)

 


1. 额定电压

VDS:GS短接,漏极D和源极S间所能施加的最大年夜电压值





VGSDS短接,栅极G和源极S间所能施加的最大年夜电压值


2. 额定电流

ID:漏极准许经过过程的最大年夜直流电流值,此值受导通阻抗,封装和内部连线等的制约

IDM:漏极准许经过过程的最大年夜脉冲电流值,此值受脉冲宽度和占空比等的制约

 

3. 额定功耗

PD芯片所能承受的最大年夜功耗,测定条件有以下两种:

1) 管壳温度TC=25℃,接散热板,使芯片结温达到TJmax时施加的功率大小;

2) 景象温度TA=25℃,不接散热板,使芯片结温达到TJmax时施加的功率大小;

 


4. 额定温度

TJ:结温,芯片所能承受的最大年夜温度,一般TJ150

TstgMOSFET器件自己的贮存温度范围,一般最低为-55℃,最高为150



5.热阻

热阻:暗示产品散热性能的吵嘴,热阻值越小,散热性能越好

RθJA:芯片到景象间的热阻抗

RθJC:芯片到封装管壳间的热阻抗

一般热阻值可经过过程额定功耗和温度计较得出:

RθJA= ( TJ(MAX) - TA ) / PD

RθJC= ( TJ(MAX) - TC ) / PD

 

6. 安然动作区SOA

SOA全称Safe Operating Area,首要由4个限制区组成,以下图所示:

A:导通阻抗限制

B:额定电流限制

C:额定功耗限制(单脉冲)

D:额定电压限制



7. MOSFET抗雪崩能力

1) 雪崩电流IASIAR

2) 雪崩能量EASEAR

EAS:单次雪崩能量,一次性雪崩时代所能承受的能量,以TJ150℃为极限

EAR:一再雪崩能量,所能承受以必定频率一再显现的雪崩能量,以TJ150℃为极限


单次雪崩


 

一再雪崩

 




MOSFET雪崩能力测试电路

 

若何选择MOSFET的额定参数(推荐)

电压:应高于现实最大年夜电压的1.2

电流:应高于现实最大年夜电流的1.2

功耗:应高于现实最大年夜功耗的1.5

结温:现实使用不该逾越125


二:电参数



1. 漏电流

IDSS:VGS=0V,在DS间加额定电压VDS(一般为80%BVDSS),流过ID的漏电流;





IGSS:VDS=0V,在GS间加额定电压VGS(一般为100%VGS),流过IG的漏电流;


2. 开启电压VGS(th)

一般为VDS=VGSID=250uA条件下的VGS值;MOSFETVGS(th)值具有负温度特征,即温度升高,VGS(th)参数值会下降


3. 导通阻抗 RDS(on)

MOSFET处于导通状况时的阻抗,导通阻抗越大年夜,开启状况时的损耗就越大年夜,所以MOS管的拔取,导通阻抗越小越好;MOSFETRDS(on)值具有正温度特征,即温度升高,RDS(on)参数值会增大年夜




导通阻抗RDS(on)一般在指定VGSID值的条件下丈量获得,常温条件下,不异VGS值,ID越大年夜RDS(on)值也会越大年夜;不异ID值,VGS越大年夜,RDS(on)值会越小

 


4. 正向传导系数gFS

定义:漏极电流ID转变量与VGS值转变量的比值 ,单位为S(西门子),近似于双极型晶体管的HFE



5. 内部电容量

MOSFET容量值越小,QG越小,开关速度越快,开关损耗越小


6. 电荷量

QG:栅极总电荷量

QGS:栅源极间的电荷量

QGD:栅漏极间的电荷量

MOSFET电荷的容量越大年夜,所需开关时刻越长,开关损失踪越大年夜

7. 开关时刻

td(on):开启延迟时刻  

td(off):关断延迟时刻

tr:上升时刻  

tf:下降时刻

 

8. 体二极管

MOS管衬底和漏极之间存在PN结所形成的二极管,凡是衬底和源极短接故等效为源极和漏极之间的二极管,该二极管与沟道并联。丈量体二极管参数时必须使沟道处于封闭状况。



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